多晶硅层的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN02149395.2

申请日：

2002-11-12

公开(公告)号：

CN1307690C

公开(公告)日：

2004-06-02

发明(设计)人：

曹义昌

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹科学工业园区新竹市力行二路一号

IPC主分类号：

H01L21283

IPC分类号：

H01L21324 H01L2144 H01L21477 C30B2802 C30B2906 G02F113

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司

代理人：

王学强

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-03-28	授权	授权
2004-09-15	实质审查的生效	实质审查的生效
2022-11-29	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 21/283 申请日:20021112 授权公告日:20070328
2004-06-02	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及相关器件 [P].

张慧娟 ;

刘建宏 .

中国专利 :CN104253246A ,2014-12-31

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

[3]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102709160B ,2012-10-03

[4]

低温多晶硅阵列基板及其制作方法 [P].

刘凤举 .

中国专利 :CN107275344B ,2017-10-20

[5]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 [P].

张占东 .

中国专利 :CN105655404A ,2016-06-08

[7]

多晶硅层的制作方法 [P].

彭佳添 .

中国专利 :CN1492475A ,2004-04-28

[8]

多晶硅层的制作方法 [P].

蔡依芸 ;

丘绍裕 ;

马佳萱 ;

游培甄 .

中国专利 :CN101409230A ,2009-04-15

[9]

多晶硅层的制作方法和多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王祖强 .

中国专利 :CN103219228B ,2013-07-24

[10]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

← 1 2 3 4 5 →