制备多晶硅层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310264674.8

申请日：

2013-06-27

公开(公告)号：

CN104253026A

公开(公告)日：

2014-12-31

发明(设计)人：

叶昱均许民庆

申请人：

申请人地址：

201506 上海市金山区金山工业区大道100号1幢二楼208室

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336 H01L2100

代理机构：

上海申新律师事务所 31272

代理人：

竺路玲

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-19	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/20 申请公布日:20141231
2015-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101596397421 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013102646748 申请日:20130627
2014-12-31	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[2]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

[3]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[4]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[5]

制备多晶硅的方法 [P].

廖燕平 ;

邵喜斌 ;

付国柱 ;

荆海 ;

郜峰利 ;

缪国庆 .

中国专利 :CN1545143A ,2004-11-10

[6]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[7]

多晶硅层的制作方法 [P].

曹义昌 .

中国专利 :CN1307690C ,2004-06-02

[8]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[9]

制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置 [P].

王景帅 .

中国专利 :CN107768236B ,2018-03-06

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

← 1 2 3 4 5 →