一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜

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专利类型
发明
申请号
CN201810697432.0
申请日
2018-06-29
公开(公告)号
CN108878272A
公开(公告)日
2018-11-23
发明(设计)人
高超飞 葛晶涛 刘旭亮 沈文涛 张明照
申请人
申请人地址
065000 河北省廊坊市固安县新兴产业示范区
IPC主分类号
H01L21203
IPC分类号
H01L21205 H01L29786 H01L2916
代理机构
北京布瑞知识产权代理有限公司 11505
代理人
孟潭
法律状态
发明专利申请公布后的驳回
国省代码
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共 50 条
[1]
一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P]. 
田雪雁 ;
龙春平 ;
姚江峰 .
中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29
[2]
多晶硅薄膜 [P]. 
李媛 ;
吴兴坤 ;
郝芳 ;
杨晗琼 .
中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30
[3]
多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P]. 
刘政 .
中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06
[4]
低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P]. 
张隆贤 ;
余威 .
中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11
[5]
一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P]. 
任庆荣 ;
李良坚 ;
刘政 .
中国专利 :CN107017153A ,2017-08-04
[6]
多晶硅薄膜的制备方法 [P]. 
张进 .
中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11
[7]
低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P]. 
张瑞军 ;
卢马才 ;
王松 .
中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16
[8]
多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P]. 
李媛 ;
吴兴坤 ;
郝芳 ;
周丽萍 ;
杨晗琼 .
中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28
[9]
多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P]. 
李栋 ;
陆小勇 ;
张帅 ;
刘政 ;
龙春平 .
中国专利 :CN105185694A ,2015-12-23
[10]
形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P]. 
官大新 ;
叶昱均 ;
闫立志 ;
韩开 .
中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05