低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810616025.2

申请日：

2018-06-14

公开(公告)号：

CN108831894A

公开(公告)日：

2018-11-16

发明(设计)人：

张瑞军卢马才王松

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L21268 H01L2177 H01L2916

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂;程晓

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-12-17	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/12 申请公布日:20181116
2018-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20180614
2020-12-29	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/12 变更事项:申请人变更前:深圳市华星光电技术有限公司变更后:TCL华星光电技术有限公司变更事项:地址变更前:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号变更后:518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
2018-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

张占东 ;

汤富雄 .

中国专利 :CN105514035A ,2016-04-20

[2]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

[3]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[4]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752A ,2021-11-05

[5]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752B ,2024-01-16

[6]

低温多晶硅基板的制作方法及低温多晶硅基板 [P].

聂晓辉 .

中国专利 :CN110838467A ,2020-02-25

[7]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN105097666A ,2015-11-25

[8]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN105702622B ,2016-06-22

[9]

低温多晶硅薄膜制作方法 [P].

叶冠华 ;

吴宏基 ;

黄荣龙 .

中国专利 :CN101236898A ,2008-08-06

[10]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102709160B ,2012-10-03

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