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低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110812168.2
申请日：
2021-07-19
公开(公告)号：
CN113611752A
公开(公告)日：
2021-11-05
发明(设计)人：
胡道兵
申请人：
申请人地址：
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号
IPC主分类号：
H01L29786
IPC分类号：
H01L21336
H01L21324
代理机构：
深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570
代理人：
唐秀萍
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-11-05 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/786 申请日:20210719 |