低温多晶硅TFT基板的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510885433.4

申请日：

2015-12-03

公开(公告)号：

CN105390451A

公开(公告)日：

2016-03-09

发明(设计)人：

李松杉

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号

IPC主分类号：

H01L2184

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

深圳市德力知识产权代理事务所 44265

代理人：

林才桂

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-03-09	公开	公开
2016-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653692856 IPC(主分类):H01L 21/84 专利申请号:2015108854334 申请日:20151203
2018-03-30	授权	授权

共 50 条

[1]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

李松杉 .

中国专利 :CN105097666A ,2015-11-25

[2]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN105702622B ,2016-06-22

[3]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

虞晓江 .

中国专利 :CN105679772B ,2016-06-15

[4]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板 [P].

张占东 ;

汤富雄 .

中国专利 :CN105514035A ,2016-04-20

[5]

低温多晶硅TFT基板及其制作方法 [P].

王涛 .

中国专利 :CN107046003B ,2017-08-15

[6]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752A ,2021-11-05

[7]

低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT [P].

胡道兵 .

中国专利 :CN113611752B ,2024-01-16

[8]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[9]

低温多晶硅TFT基板及其制作方法 [P].

陈归 ;

龚强 .

中国专利 :CN105390510A ,2016-03-09

[10]

低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构 [P].

卢改平 .

中国专利 :CN104599959A ,2015-05-06

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