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低温多晶硅TFT基板及其制作方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201510936669.6
申请日
:
2015-12-14
公开(公告)号
:
CN105390510A
公开(公告)日
:
2016-03-09
发明(设计)人
:
陈归
龚强
申请人
:
申请人地址
:
430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
IPC主分类号
:
H01L2712
IPC分类号
:
H01L2177
代理机构
:
深圳市德力知识产权代理事务所 44265
代理人
:
林才桂
法律状态
:
公开
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2016-03-09
公开
公开
2016-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101653687894 IPC(主分类):H01L 27/12 专利申请号:2015109366696 申请日:20151214
2018-06-01
授权
授权
共 50 条
[1]
低温多晶硅TFT基板及其制作方法
[P].
王涛
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王涛
.
中国专利
:CN107046003B
,2017-08-15
[2]
低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板
[P].
李松杉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李松杉
.
中国专利
:CN105097666A
,2015-11-25
[3]
低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板
[P].
虞晓江
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
虞晓江
.
中国专利
:CN105679772B
,2016-06-15
[4]
低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板
[P].
卢改平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢改平
.
中国专利
:CN105702622B
,2016-06-22
[5]
低温多晶硅TFT基板的制作方法及低温多晶硅TFT基板
[P].
张占东
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
张占东
;
汤富雄
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
汤富雄
.
中国专利
:CN105514035A
,2016-04-20
[6]
低温多晶硅TFT基板的制作方法
[P].
李松杉
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李松杉
.
中国专利
:CN105390451A
,2016-03-09
[7]
低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT
[P].
胡道兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
胡道兵
.
中国专利
:CN113611752A
,2021-11-05
[8]
低温多晶硅TFT的制作方法及低温多晶硅TFT
[P].
胡道兵
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
TCL华星光电技术有限公司
TCL华星光电技术有限公司
胡道兵
.
中国专利
:CN113611752B
,2024-01-16
[9]
低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板
[P].
张瑞军
论文数:
0
引用数:
0
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张瑞军
;
卢马才
论文数:
0
引用数:
0
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0
卢马才
;
王松
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王松
.
中国专利
:CN108831894A
,2018-11-16
[10]
低温多晶硅TFT基板的制作方法及其结构
[P].
卢改平
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
卢改平
.
中国专利
:CN104599959A
,2015-05-06
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