多晶硅薄膜

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201120134612.1

申请日：

2011-04-29

公开(公告)号：

CN202058744U

公开(公告)日：

2011-11-30

发明(设计)人：

李媛吴兴坤郝芳杨晗琼

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市江干区下沙杭州经济技术开发区出口加工区16号大街

IPC主分类号：

H01L3102

IPC分类号：

H01L310392

代理机构：

浙江翔隆专利事务所 33206

代理人：

胡龙祥

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-30	授权	授权
2018-05-15	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 31/02 申请日:20110429 授权公告日:20111130 终止日期:20170429

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[2]

择优取向的多晶硅薄膜的制备方法 [P].

姚若河 .

中国专利 :CN1967882A ,2007-05-23

[3]

多晶硅薄膜太阳能电池 [P].

陈一鸣 .

中国专利 :CN202150463U ,2012-02-22

[4]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[5]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[6]

一种多晶硅薄膜太阳能电池 [P].

孙书龙 ;

谷士斌 ;

王锐 .

中国专利 :CN101582466A ,2009-11-18

[7]

一种多晶硅薄膜太阳能电池 [P].

陈伟 ;

孔群 ;

杨玉生 ;

姜春潮 .

中国专利 :CN206432277U ,2017-08-22

[8]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[9]

低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范多旺 ;

王成龙 ;

范多进 ;

王成兵 ;

耿中荣 ;

马海林 ;

苗树翻 .

中国专利 :CN101781794A ,2010-07-21

[10]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

李慧 .

中国专利 :CN104328493A ,2015-02-04

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