择优取向的多晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610123789.5

申请日：

2006-11-27

公开(公告)号：

CN1967882A

公开(公告)日：

2007-05-23

发明(设计)人：

姚若河

申请人：

申请人地址：

510640广东省广州市天河区五山路381号

IPC主分类号：

H01L3118

IPC分类号：

H01L2120

代理机构：

广州粤高专利代理有限公司

代理人：

何淑珍

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-08-12	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回
2007-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-05-23	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[2]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[3]

一种利用磁控溅射制备具有择优取向的多晶硅薄膜方法 [P].

袁萍 .

中国专利 :CN104465343A ,2015-03-25

[4]

多晶硅薄膜组件的制备方法 [P].

范多旺 ;

王成龙 ;

范多进 ;

令晓明 ;

孔令刚 .

中国专利 :CN101404304B ,2009-04-08

[5]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

[6]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956499A ,2013-03-06

[7]

低掺杂率多晶硅薄膜的制备方法 [P].

范多旺 ;

王成龙 ;

范多进 ;

王成兵 ;

耿中荣 ;

马海林 ;

苗树翻 .

中国专利 :CN101781794A ,2010-07-21

[8]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

李慧 .

中国专利 :CN104328493A ,2015-02-04

[9]

多晶硅薄膜及其组件的制备方法 [P].

范多旺 ;

王成龙 ;

范多进 ;

令晓明 ;

孔令刚 .

中国专利 :CN101140866A ,2008-03-12

[10]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

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