多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110111195.3

申请日：

2011-04-29

公开(公告)号：

CN102201461A

公开(公告)日：

2011-09-28

发明(设计)人：

李媛吴兴坤郝芳周丽萍杨晗琼

申请人：

申请人地址：

310018 浙江省杭州市江干区下沙杭州经济技术开发区出口加工区16号大街

IPC主分类号：

H01L310352

IPC分类号：

H01L3118

代理机构：

浙江翔隆专利事务所 33206

代理人：

胡龙祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-28	公开	公开
2011-11-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101137311275 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2011101111953 申请日:20110429
2013-09-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101662339463 IPC(主分类):H01L 31/0352 专利申请号:2011101111953 申请公布日:20110928

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[2]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[3]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[4]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[5]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[6]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[7]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[8]

铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

钱隽 ;

金晶 ;

李季戎 ;

廖阳 ;

王国华 ;

许月阳 .

中国专利 :CN103311105A ,2013-09-18

[9]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

[10]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

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