铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310181115.0

申请日：

2013-05-16

公开(公告)号：

CN103311105A

公开(公告)日：

2013-09-18

发明(设计)人：

史伟民钱隽金晶李季戎廖阳王国华许月阳

申请人：

申请人地址：

200444 上海市宝山区上大路99号

IPC主分类号：

H01L21203

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

上海上大专利事务所(普通合伙) 31205

代理人：

陆聪明

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-18	公开	公开
2013-10-23	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101531541143 IPC(主分类):H01L 21/203 专利申请号:2013101811150 申请日:20130516
2016-05-11	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101732261577 IPC(主分类):H01L 21/203 专利申请号:2013101811150 申请公布日:20130918

共 50 条

[1]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[2]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

[3]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[4]

干法刻蚀两步法铝诱导非晶硅晶化薄膜的方法 [P].

钱隽 ;

史伟民 ;

廖阳 ;

李季戎 ;

王国华 ;

周平生 .

中国专利 :CN103227239A ,2013-07-31

[5]

非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置 [P].

刘萍 .

中国专利 :CN101894747A ,2010-11-24

[6]

铝诱导低温制备大晶粒多晶硅薄膜的方法 [P].

沈鸿烈 ;

唐正霞 ;

鲁林峰 ;

漆海平 ;

江丰 .

中国专利 :CN101665905A ,2010-03-10

[7]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[8]

一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法 [P].

赵淑云 .

中国专利 :CN101853784B ,2010-10-06

[9]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[10]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

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