一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010175536.9

申请日：

2010-05-17

公开(公告)号：

CN101853784B

公开(公告)日：

2010-10-06

发明(设计)人：

赵淑云

申请人：

申请人地址：

528225 广东省佛山市南海区狮山经济开发区北园中路11号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21316

代理机构：

北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280

代理人：

王勇

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-07-09	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101583577596 IPC(主分类):H01L 21/20 专利号:ZL2010101755369 申请日:20100517 授权公告日:20120704 终止日期:20130517
2010-11-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101017286247 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2010101755369 申请日:20100517
2010-10-06	公开	公开
2012-07-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种用于横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的多层膜结构 [P].

赵淑云 .

中国专利 :CN101819999A ,2010-09-01

[2]

基于横向诱导晶化多晶硅薄膜的薄膜晶体管的制备方法 [P].

赵淑云 .

中国专利 :CN101814438A ,2010-08-25

[3]

表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法 [P].

熊绍珍 ;

吴春亚 ;

李学东 ;

孟志国 ;

李娟 ;

李鹤 .

中国专利 :CN100999388A ,2007-07-18

[4]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[5]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[6]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[7]

一种低温多晶硅薄膜的制作方法和低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102709160B ,2012-10-03

[8]

一种掩膜金属诱导晶化的多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN202405261U ,2012-08-29

[9]

低温多晶硅薄膜的制备方法、制备设备及低温多晶硅薄膜 [P].

张隆贤 ;

余威 .

中国专利 :CN104404617A ,2015-03-11

[10]

铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

钱隽 ;

金晶 ;

李季戎 ;

廖阳 ;

王国华 ;

许月阳 .

中国专利 :CN103311105A ,2013-09-18

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