表面修饰溶液诱导晶化多晶硅薄膜的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610130711.6

申请日：

2006-12-30

公开(公告)号：

CN100999388A

公开(公告)日：

2007-07-18

发明(设计)人：

熊绍珍吴春亚李学东孟志国李娟李鹤

申请人：

申请人地址：

300071天津市南开区卫津路94号

IPC主分类号：

C03C1722

IPC分类号：

C04B4151 C23C1624 C23C1656 C23C1414 C23C1458 C30B2906 C30B2800 C08J706

代理机构：

天津佳盟知识产权代理有限公司

代理人：

侯力

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-02-09	授权	授权
2007-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效
2015-02-25	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101599918703 IPC(主分类):C03C 17/22 专利号:ZL2006101307116 申请日:20061230 授权公告日:20110209 终止日期:20131230
2010-06-23	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101003158301 IPC(主分类):C03C 17/22 专利申请号:2006101307116 变更事项:发明人变更前:熊绍珍;吴春亚;李学东;孟志国;李娟;李鹤变更后:熊绍珍;吴春亚;李娟;李学东;孟志国;李鹤
2007-07-18	公开	公开

共 50 条

[1]

溶液法金属诱导晶化大晶粒多晶硅薄膜材料及制备和应用 [P].

吴春亚 ;

孟志国 ;

熊绍珍 ;

赵淑云 .

中国专利 :CN1794424A ,2006-06-28

[2]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[3]

一种横向诱导晶化低温多晶硅薄膜的方法 [P].

赵淑云 .

中国专利 :CN101853784B ,2010-10-06

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 [P].

李子健 .

中国专利 :CN104599973B ,2015-05-06

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 [P].

陈卓 ;

陈建荣 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN105742370B ,2016-07-06

[6]

低温多晶硅薄膜及晶体管的制备方法、激光晶化装置 [P].

许晓伟 ;

李小龙 .

中国专利 :CN105489487A ,2016-04-13

[7]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[8]

一种低温多晶硅薄膜的制备方法及低温多晶硅薄膜 [P].

田雪雁 ;

龙春平 ;

姚江峰 .

中国专利 :CN102651311B ,2012-08-29

[9]

生产低温多晶硅薄膜晶体管的方法 [P].

徐正勋 ;

闫晓剑 .

中国专利 :CN102082098A ,2011-06-01

[10]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

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