多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410203194.5

申请日：

2014-05-14

公开(公告)号：

CN103972050A

公开(公告)日：

2014-08-06

发明(设计)人：

刘政

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21268 H01L29786 H01L21336

代理机构：

北京中博世达专利商标代理有限公司 11274

代理人：

申健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-09-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101586670452 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2014102031945 申请日:20140514
2014-08-06	公开	公开
2017-11-14	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20140806

共 50 条

[1]

制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置 [P].

王景帅 .

中国专利 :CN107768236B ,2018-03-06

[2]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[3]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

[4]

形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴敬培 ;

野口隆 ;

赵世泳 ;

金道暎 ;

权章渊 .

中国专利 :CN1770472A ,2006-05-10

[5]

多晶硅薄膜的制备方法、薄膜晶体管阵列基板的制备方法 [P].

董磊磊 .

中国专利 :CN107464752A ,2017-12-12

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 [P].

赵瑜 .

中国专利 :CN106024708A ,2016-10-12

[7]

多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 [P].

陆小勇 ;

李栋 ;

刘政 ;

张帅 ;

孙亮 ;

龙春平 .

中国专利 :CN104779167A ,2015-07-15

[8]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

陈麒麟 ;

陈宏泽 ;

吴兴华 .

中国专利 :CN100570836C ,2008-01-30

[9]

多晶硅薄膜的制备方法和薄膜晶体管 [P].

张卜芳 ;

李松杉 .

中国专利 :CN110085511A ,2019-08-02

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

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