制备多晶硅层的方法、多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板以及显示装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711020536.X

申请日：

2017-10-26

公开(公告)号：

CN107768236B

公开(公告)日：

2018-03-06

发明(设计)人：

王景帅

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21336 H01L29786

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

赵天月

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-03-20	授权	授权
2018-03-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20171026
2018-03-06	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[2]

多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、显示面板、显示装置 [P].

蔡奇哲 ;

王翠钰 .

中国专利 :CN113571571A ,2021-10-29

[3]

多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 [P].

刘政 ;

李小龙 ;

皇甫鲁江 .

中国专利 :CN105655407A ,2016-06-08

[4]

多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示面板 [P].

陆小勇 ;

李栋 ;

刘政 ;

张帅 ;

孙亮 ;

龙春平 .

中国专利 :CN104779167A ,2015-07-15

[5]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

[7]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 [P].

张斌 ;

詹裕程 ;

孙雪菲 ;

周婷婷 .

中国专利 :CN106876480A ,2017-06-20

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 [P].

赵瑜 .

中国专利 :CN106024708A ,2016-10-12

[10]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法、显示装置 [P].

敏健 ;

李小龙 ;

高涛 ;

李良坚 ;

许正印 .

中国专利 :CN107636839A ,2018-01-26

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