低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610662116.0

申请日：

2016-08-12

公开(公告)号：

CN106024708A

公开(公告)日：

2016-10-12

发明(设计)人：

赵瑜

申请人：

申请人地址：

430070 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋

IPC主分类号：

H01L2177

IPC分类号：

H01L2712 H01L2910

代理机构：

深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304

代理人：

孙伟峰;黄进

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-12	公开	公开
2020-04-10	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/77 申请公布日:20161012
2016-11-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687274869 IPC(主分类):H01L 21/77 专利申请号:2016106621160 申请日:20160812

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[2]

一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 [P].

毛雪 .

中国专利 :CN103839826A ,2014-06-04

[3]

一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 [P].

毛雪 .

中国专利 :CN103839825A ,2014-06-04

[4]

一种低温多晶硅薄膜晶体管探测器及其制备方法 [P].

邱承彬 ;

叶宇诚 ;

刘琳 .

中国专利 :CN102403329A ,2012-04-04

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法 [P].

李子健 .

中国专利 :CN105632905A ,2016-06-01

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

赵雁飞 ;

李建文 ;

魏博 .

中国专利 :CN106373922A ,2017-02-01

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709283A ,2012-10-03

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709284A ,2012-10-03

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 [P].

陈卓 ;

陈建荣 ;

任思雨 ;

苏君海 ;

李建华 .

中国专利 :CN105742370B ,2016-07-06

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

陈辰 .

中国专利 :CN109300849A ,2019-02-01

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