低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110140282.1

申请日：

2011-05-27

公开(公告)号：

CN102709283A

公开(公告)日：

2012-10-03

发明(设计)人：

马占洁

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L2702

IPC分类号：

H01L2177

代理机构：

北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270

代理人：

武晨燕;周义刚

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101353325672 IPC(主分类):H01L 27/02 专利申请号:2011101402821 申请日:20110527
2012-10-03	公开	公开
2015-06-10	授权	授权

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709284A ,2012-10-03

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

赵雁飞 ;

李建文 ;

魏博 .

中国专利 :CN106373922A ,2017-02-01

[3]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

周万亮 .

中国专利 :CN109686745A ,2019-04-26

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 [P].

赵瑜 .

中国专利 :CN106024708A ,2016-10-12

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

陈辰 .

中国专利 :CN109300849A ,2019-02-01

[6]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

[7]

薄膜晶体管阵列基板、低温多晶硅薄膜晶体管及制造方法 [P].

陈小明 .

中国专利 :CN107980176A ,2018-05-01

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

周星宇 ;

张晓星 .

中国专利 :CN105097550A ,2015-11-25

[9]

一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 [P].

毛雪 .

中国专利 :CN103839826A ,2014-06-04

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 [P].

孙亮 ;

任章淳 ;

皇甫鲁江 .

中国专利 :CN103531595A ,2014-01-22

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