一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410062525.8

申请日：

2014-02-24

公开(公告)号：

CN103839826A

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

毛雪

申请人：

申请人地址：

100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2184 H01L29786 H01L2908 H01L2712

代理机构：

北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291

代理人：

黄志华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-04	公开	公开
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583461709 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2014100625258 申请日:20140224
2017-01-18	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低温多晶硅薄膜晶体管、阵列基板及其制作方法 [P].

毛雪 .

中国专利 :CN103839825A ,2014-06-04

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 [P].

赵瑜 .

中国专利 :CN106024708A ,2016-10-12

[3]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

赵雁飞 ;

李建文 ;

魏博 .

中国专利 :CN106373922A ,2017-02-01

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709284A ,2012-10-03

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709283A ,2012-10-03

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

周万亮 .

中国专利 :CN109686745A ,2019-04-26

[7]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管单元及其制作方法 [P].

李子健 .

中国专利 :CN105632905A ,2016-06-01

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管制造方法 [P].

许民庆 ;

吴钊鹏 ;

庄涂城 ;

余鸿志 ;

吕宏哲 .

中国专利 :CN102629558B ,2012-08-08

[10]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

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