低温多晶硅薄膜晶体管制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210004411.9

申请日：

2012-01-09

公开(公告)号：

CN102629558B

公开(公告)日：

2012-08-08

发明(设计)人：

许民庆吴钊鹏庄涂城余鸿志吕宏哲

申请人：

申请人地址：

518109 广东省深圳市宝安区龙华街道办民清路深超光电科技园A栋

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

H01L21324

代理机构：

深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311

代理人：

徐丽昕

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-08-29	著录事项变更	著录事项变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101446340815 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2012100044119 变更事项:发明人变更前:许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吴宏哲变更后:许民庆;吴钊鹏;庄涂城;余鸿志;吕宏哲
2012-10-03	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101331110016 IPC(主分类):H01L 21/331 专利申请号:2012100044119 申请日:20120109
2015-05-20	授权	授权
2012-08-08	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管制造方法 [P].

颜圣佑 ;

黄家琦 ;

李原欣 ;

王承贤 .

中国专利 :CN104576387B ,2015-04-29

[3]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[4]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

朱涛 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN103050410A ,2013-04-17

[6]

低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

陈韵升 .

中国专利 :CN1259693C ,2004-10-27

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN2717021Y ,2005-08-10

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

高孝裕 ;

李喜峰 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN101414564A ,2009-04-22

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN100386885C ,2006-01-25

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN105470312A ,2016-04-06

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