低温多晶硅薄膜晶体管

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN200420065978.8

申请日：

2004-07-22

公开(公告)号：

CN2717021Y

公开(公告)日：

2005-08-10

发明(设计)人：

郭政彰

申请人：

申请人地址：

台湾省桃园县

IPC主分类号：

H01L29786

IPC分类号：

代理机构：

永新专利商标代理有限公司

代理人：

王永建

法律状态：

专利权的终止(未缴年费专利权终止)

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2009-09-30	专利权的终止(未缴年费专利权终止)	专利权的终止(未缴年费专利权终止)
2005-08-10	授权	授权
2008-03-26	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移)	专利申请权、专利权的转移(专利权的转移) 变更事项:专利权人变更前权利人:广辉电子股份有限公司变更后权利人:友达光电股份有限公司变更事项:地址变更前:台湾省桃园县,邮编: 变更后:中国台湾新竹,邮编: 登记生效日:20080222

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN2717022Y ,2005-08-10

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

邱勇 ;

黄秀颀 ;

朱涛 ;

刘玉成 .

中国专利 :CN103050410A ,2013-04-17

[3]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[4]

低温多晶硅薄膜及其制备方法、低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

葛泳 ;

刘玉成 ;

朱涛 ;

顾维杰 .

中国专利 :CN104362084A ,2015-02-18

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管基板 [P].

谢朝桦 ;

彭家鹏 .

中国专利 :CN2727796Y ,2005-09-21

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管及薄膜晶体管基板 [P].

陈秋权 .

中国专利 :CN104538456A ,2015-04-22

[7]

低温多晶硅薄膜的制造方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

陈韵升 .

中国专利 :CN1259693C ,2004-10-27

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

周星宇 ;

张晓星 .

中国专利 :CN105097550A ,2015-11-25

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管的制造方法 [P].

高孝裕 ;

李喜峰 ;

李俊峰 .

中国专利 :CN101414564A ,2009-04-22

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管的制备方法 [P].

李子健 .

中国专利 :CN104599973B ,2015-05-06

← 1 2 3 4 5 →