低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811600619.0

申请日：

2018-12-26

公开(公告)号：

CN109686745A

公开(公告)日：

2019-04-26

发明(设计)人：

周万亮

申请人：

申请人地址：

518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号

IPC主分类号：

H01L2712

IPC分类号：

H01L2177 G02F11343 G02F11362 G02F11368

代理机构：

深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300

代理人：

黄威

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-04-26	公开	公开
2019-05-21	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20181226
2021-06-04	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 27/12 申请公布日:20190426

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

赵雁飞 ;

李建文 ;

魏博 .

中国专利 :CN106373922A ,2017-02-01

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709284A ,2012-10-03

[3]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法 [P].

马占洁 .

中国专利 :CN102709283A ,2012-10-03

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制备方法 [P].

赵瑜 .

中国专利 :CN106024708A ,2016-10-12

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 [P].

陈辰 .

中国专利 :CN109300849A ,2019-02-01

[6]

低温多晶硅、薄膜晶体管及阵列基板的制作方法 [P].

徐向阳 .

中国专利 :CN108346562A ,2018-07-31

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板 [P].

张占东 .

中国专利 :CN106252357B ,2016-12-21

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶面板 [P].

张占东 .

中国专利 :CN106054472A ,2016-10-26

[9]

薄膜晶体管阵列基板、低温多晶硅薄膜晶体管及制造方法 [P].

陈小明 .

中国专利 :CN107980176A ,2018-05-01

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管的制作方法及低温多晶硅薄膜晶体管 [P].

周星宇 ;

张晓星 .

中国专利 :CN105097550A ,2015-11-25

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