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低温多晶硅薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201810995637.7
申请日：
2018-08-29
公开(公告)号：
CN109300849A
公开(公告)日：
2019-02-01
发明(设计)人：
陈辰
申请人：
申请人地址：
430079 湖北省武汉市东湖开发区高新大道666号生物城C5栋
IPC主分类号：
H01L2184
IPC分类号：
H01L2712
代理机构：
深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300
代理人：
黄威
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2020-12-25 | 授权 | 授权 |
| 2019-02-01 | 公开 | 公开 |
| 2019-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/84 申请日:20180829 |