多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610107616.4

申请日：

2006-07-26

公开(公告)号：

CN100570836C

公开(公告)日：

2008-01-30

发明(设计)人：

陈麒麟陈宏泽吴兴华

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波;侯宇

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	公开	公开
2009-12-16	授权	授权
2008-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效
2018-08-17	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060726 授权公告日:20091216 终止日期:20170726

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

韩圭完 ;

柳相吉 ;

金亨植 ;

沃若诺夫·亚历山大 ;

卢喆来 .

中国专利 :CN101162690A ,2008-04-16

[2]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郑训周 .

中国专利 :CN100511711C ,2009-07-08

[3]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN100386885C ,2006-01-25

[4]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN105470312A ,2016-04-06

[5]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李海旭 ;

曹占锋 ;

姚琪 .

中国专利 :CN107482063A ,2017-12-15

[6]

多晶硅薄膜、多晶硅薄膜晶体管及阵列基板的制备方法 [P].

刘政 .

中国专利 :CN103972050A ,2014-08-06

[7]

多晶硅薄膜晶体管及其制作方法 [P].

沈思杰 .

中国专利 :CN109920731A ,2019-06-21

[8]

薄膜晶体管及低温多晶硅薄膜晶体管之多晶硅层的制造方法 [P].

何明彻 ;

杨芸佩 ;

刘博智 ;

吕佳谦 .

中国专利 :CN1929099A ,2007-03-14

[9]

低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

王敏全 ;

彭逸轩 ;

翁得期 ;

王亮棠 ;

黄志仁 .

中国专利 :CN101064256A ,2007-10-31

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管及其多晶硅层的制造方法 [P].

彭佳添 ;

吴焕照 .

中国专利 :CN1536620A ,2004-10-13

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