低温直接沉积多晶硅薄膜晶体管及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610098711.2

申请日：

2006-07-06

公开(公告)号：

CN101064256A

公开(公告)日：

2007-10-31

发明(设计)人：

王敏全彭逸轩翁得期王亮棠黄志仁

申请人：

申请人地址：

台湾省新竹县竹东镇中兴路4段195号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L29786

代理机构：

北京连和连知识产权代理有限公司

代理人：

王光辉

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20060706 授权公告日:20091007 终止日期:20180706
2009-10-07	授权	授权
2007-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

郭政彰 .

中国专利 :CN100386885C ,2006-01-25

[2]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN105470312A ,2016-04-06

[3]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李海旭 ;

曹占锋 ;

姚琪 .

中国专利 :CN107482063A ,2017-12-15

[4]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

陈麒麟 ;

陈宏泽 ;

吴兴华 .

中国专利 :CN100570836C ,2008-01-30

[5]

多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

韩圭完 ;

柳相吉 ;

金亨植 ;

沃若诺夫·亚历山大 ;

卢喆来 .

中国专利 :CN101162690A ,2008-04-16

[6]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

陈归 ;

赵莽 .

中国专利 :CN105140294A ,2015-12-09

[7]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

卢瑞 .

中国专利 :CN107068771A ,2017-08-18

[8]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

彭佳添 ;

孙铭玮 .

中国专利 :CN1540729A ,2004-10-27

[9]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

卢昶鸣 .

中国专利 :CN104617132B ,2015-05-13

[10]

低温多晶硅薄膜晶体管及其制造方法 [P].

李金明 .

中国专利 :CN104538454B ,2015-04-22

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