非晶硅薄膜的晶化及多晶硅薄膜的制造方法和装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010212584.0

申请日：

2010-06-29

公开(公告)号：

CN101894747A

公开(公告)日：

2010-11-24

发明(设计)人：

刘萍

申请人：

申请人地址：

518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号

IPC主分类号：

H01L21263

IPC分类号：

H01L2100

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-09-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101103521552 IPC(主分类):H01L 21/263 专利申请号:2010102125840 申请日:20100629
2013-04-17	授权	授权
2010-11-24	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜及用非晶硅低温诱导制备多晶硅薄膜的方法 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

周丽萍 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN102201461A ,2011-09-28

[2]

用锡诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

孙杰 ;

史伟民 .

中国专利 :CN102243991A ,2011-11-16

[3]

铝在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

钱隽 ;

金晶 ;

李季戎 ;

廖阳 ;

王国华 ;

许月阳 .

中国专利 :CN103311105A ,2013-09-18

[4]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[5]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1315156C ,2005-02-16

[6]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1581427A ,2005-02-16

[7]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[8]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[9]

多晶硅薄膜的制造方法及装置 [P].

徐威 ;

宋定峰 .

中国专利 :CN101996869A ,2011-03-30

[10]

一种用金属铜在低温下诱导非晶硅薄膜晶化为多晶硅薄膜的方法 [P].

史伟民 ;

周平生 ;

周平华 ;

李杰 ;

瞿晓雷 ;

廖阳 ;

钱隽 ;

李季戎 ;

张月璐 ;

许月阳 .

中国专利 :CN102709404A ,2012-10-03

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