形成多晶硅结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN03825535.9

申请日：

2003-09-22

公开(公告)号：

CN1714440A

公开(公告)日：

2005-12-28

发明(设计)人：

桑杰伊·纳塔拉詹凯文·海德里奇伊布拉西姆·班恩

申请人：

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

代理机构：

北京英特普罗知识产权代理有限公司

代理人：

齐永红

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-01-02	授权	授权
2011-11-30	专利权的终止	未缴年费专利权终止号牌文件类型代码:1605 号牌文件序号:101145517412 IPC(主分类):H01L 21/8238 专利号:ZL038255359 申请日:20030922 授权公告日:20080102 终止日期:20100922
2006-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效
2005-12-28	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅结构的形成方法 [P].

张彬 ;

邓浩 .

中国专利 :CN103794485A ,2014-05-14

[2]

形成多晶硅的方法 [P].

F·马扎穆托 .

中国专利 :CN106030759A ,2016-10-12

[3]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构 [P].

顾靖 .

中国专利 :CN101465384A ,2009-06-24

[4]

多晶硅铸锭热场结构、多晶硅铸锭炉和多晶硅锭 [P].

李建敏 ;

付志斌 ;

周成 ;

何亮 .

中国专利 :CN209468525U ,2019-10-08

[5]

多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法 [P].

黄舒婷 ;

苏悦阳 ;

郑凯 .

中国专利 :CN120085414A ,2025-06-03

[6]

蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法 [P].

吴燕萍 ;

何岳风 .

中国专利 :CN1191613C ,2003-03-26

[7]

多晶硅电阻结构及其形成方法 [P].

廖淼 ;

陈芳 .

中国专利 :CN104037173B ,2014-09-10

[8]

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN106966395B ,2017-07-21

[9]

罗伯特·鲍曼 ;

罗伯特·赫尔茨尔 ;

米夏埃尔·魏克塞尔加特纳 .

中国专利 :CN103172069A ,2013-06-26

[10]

M·菲茨 ;

R·佩赫 .

中国专利 :CN103420374A ,2013-12-04

← 1 2 3 4 5 →