多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810204970.8

申请日：

2008-12-30

公开(公告)号：

CN101465384A

公开(公告)日：

2009-06-24

发明(设计)人：

顾靖

申请人：

申请人地址：

201203上海市张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L2992

IPC分类号：

H01L2704 H01L27115

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-03-27	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101542996823 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2008102049708 申请公布日:20090624
2009-06-24	公开	公开
2011-04-27	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101066687706 IPC(主分类):H01L 29/92 专利申请号:2008102049708 申请日:20081230

共 50 条

[1]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法 [P].

方玲刚 .

中国专利 :CN114613908A ,2022-06-10

[2]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法 [P].

方玲刚 .

中国专利 :CN114613908B ,2025-08-12

[3]

多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法 [P].

申红杰 ;

何应春 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN120812939A ,2025-10-17

[4]

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN106966395B ,2017-07-21

[5]

罗伯特·鲍曼 ;

罗伯特·赫尔茨尔 ;

米夏埃尔·魏克塞尔加特纳 .

中国专利 :CN103172069A ,2013-06-26

[6]

M·菲茨 ;

R·佩赫 .

中国专利 :CN103420374A ,2013-12-04

[7]

多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN100409449C ,2006-11-01

[8]

多晶硅柱体及多晶硅晶片 [P].

杨承叡 ;

林煌伟 ;

杨瑜民 ;

庄国伟 ;

萧明恭 ;

张元啸 ;

王柏凯 ;

余文怀 ;

许松林 ;

李依晴 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106480499A ,2017-03-08

[9]

多晶硅制造装置以及多晶硅 [P].

冈田哲郎 ;

星野成大 ;

石田昌彦 .

中国专利 :CN111560650A ,2020-08-21

[10]

多晶硅晶铸锭、多晶硅晶棒及多晶硅芯片 [P].

杨瑜民 ;

杨承叡 ;

周鸿昇 ;

余文怀 ;

许松林 ;

徐文庆 .

中国专利 :CN106350868A ,2017-01-25

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