多晶硅－绝缘层－多晶硅电容和高阻多晶硅器件的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510025458.3

申请日：

2005-04-27

公开(公告)号：

CN100409449C

公开(公告)日：

2006-11-01

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201206上海市浦东川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L2900

IPC分类号：

H01L2992 H01L2978 H01L2102 H01L21336 H01L218234 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-08-06	授权	授权
2007-05-16	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-11-01	公开	公开
2018-01-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 29/00 登记生效日:20171215 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东川桥路1188号变更后权利人:201203 上海浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

共 50 条

[1]

多晶硅-绝缘层-多晶硅堆叠电容结构及其制造方法 [P].

申红杰 ;

何应春 ;

顾林 ;

王虎 .

中国专利 :CN120812939A ,2025-10-17

[2]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构 [P].

顾靖 .

中国专利 :CN101465384A ,2009-06-24

[3]

多晶硅和多晶硅的选择方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN107083566A ,2017-08-22

[4]

多晶硅的制作方法和使用多晶硅的开关器件 [P].

金荣柱 .

中国专利 :CN1327484C ,2005-02-02

[5]

多晶硅的制造方法、多晶硅的制造装置、和多晶硅 [P].

漆原诚 ;

水岛一树 .

中国专利 :CN101956232B ,2011-01-26

[6]

多晶硅铸锭炉、多晶硅铸锭方法和多晶硅锭 [P].

周成 ;

何亮 ;

毛伟 ;

徐云飞 ;

李建敏 .

中国专利 :CN109554752A ,2019-04-02

[7]

多晶硅层的制作方法 [P].

曹义昌 .

中国专利 :CN1307690C ,2004-06-02

[8]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法 [P].

方玲刚 .

中国专利 :CN114613908B ,2025-08-12

[9]

多晶硅-绝缘体-多晶硅电容器及其制作方法 [P].

方玲刚 .

中国专利 :CN114613908A ,2022-06-10

[10]

船崎和则 ;

佐藤一臣 ;

宫尾秀一 .

中国专利 :CN106966395B ,2017-07-21

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