形成多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200510098656.2

申请日：

2005-09-07

公开(公告)号：

CN100487862C

公开(公告)日：

2007-03-14

发明(设计)人：

张启明张荣芳陈宏泽翁得期

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21324 H01L2100

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥;徐金国

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2007-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效
2007-03-14	公开	公开
2018-08-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/20 申请日:20050907 授权公告日:20090513 终止日期:20170907
2009-05-13	授权	授权

共 50 条

[1]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

[2]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[3]

形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴敬培 ;

野口隆 ;

赵世泳 ;

金道暎 ;

权章渊 .

中国专利 :CN1770472A ,2006-05-10

[4]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

黄显雄 ;

王文俊 ;

张恒毅 ;

刘锦璋 .

中国专利 :CN103489762A ,2014-01-01

[5]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[6]

低温多晶硅薄膜的制作方法、低温多晶硅薄膜及低温多晶硅TFT基板 [P].

张瑞军 ;

卢马才 ;

王松 .

中国专利 :CN108831894A ,2018-11-16

[7]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[8]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

[9]

形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P].

官大新 ;

叶昱均 ;

闫立志 ;

韩开 .

中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05

[10]

多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P].

李栋 ;

陆小勇 ;

张帅 ;

刘政 ;

龙春平 .

中国专利 :CN105185694A ,2015-12-23

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