形成多晶硅薄膜的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210238444.X

申请日：

2012-07-10

公开(公告)号：

CN103489762A

公开(公告)日：

2014-01-01

发明(设计)人：

黄显雄王文俊张恒毅刘锦璋

申请人：

申请人地址：

中国台湾台中市

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1624 C23C1656 C30B2814 C30B3302

代理机构：

深圳新创友知识产权代理有限公司 44223

代理人：

江耀纯

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-01-01	公开	公开
2016-08-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回专利申请号:201210238444X 申请公布日:20140101 号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738387808 IPC(主分类):H01L 21/205
2014-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101567139558 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:201210238444X 申请日:20120710

共 50 条

[1]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

[2]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

张启明 ;

张荣芳 ;

陈宏泽 ;

翁得期 .

中国专利 :CN100487862C ,2007-03-14

[3]

形成多晶硅薄膜装置的方法 [P].

朱芳村 ;

陈昱丞 .

中国专利 :CN101022091A ,2007-08-22

[4]

形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管 [P].

官大新 ;

叶昱均 ;

闫立志 ;

韩开 .

中国专利 :CN105990098B ,2016-10-05

[5]

多晶硅薄膜及多晶硅栅极的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN101577221A ,2009-11-11

[6]

多晶硅薄膜及其形成方法 [P].

谢博文 ;

施剑华 .

中国专利 :CN115012032A ,2022-09-06

[7]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[8]

形成多晶硅薄膜的方法，包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管及其制造方法 [P].

朴敬培 ;

野口隆 ;

赵世泳 ;

金道暎 ;

权章渊 .

中国专利 :CN1770472A ,2006-05-10

[9]

形成多晶硅薄膜的方法以及形成薄膜晶体管的方法 [P].

黄显雄 ;

王文俊 ;

张恒毅 ;

刘锦璋 .

中国专利 :CN103489783A ,2014-01-01

[10]

多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956678A ,2013-03-06

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