多晶硅薄膜及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210947274.6

申请日：

2022-08-09

公开(公告)号：

CN115012032A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

谢博文施剑华

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号

IPC主分类号：

C30B2814

IPC分类号：

C30B2906 H01L2102

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/14 申请日:20220809

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜及多晶硅栅极的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN101577221A ,2009-11-11

[2]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

陈宏泽 ;

陈昱丞 ;

朱芳村 .

中国专利 :CN1992167A ,2007-07-04

[3]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

张启明 ;

张荣芳 ;

陈宏泽 ;

翁得期 .

中国专利 :CN100487862C ,2007-03-14

[4]

形成多晶硅薄膜的方法 [P].

黄显雄 ;

王文俊 ;

张恒毅 ;

刘锦璋 .

中国专利 :CN103489762A ,2014-01-01

[5]

多晶硅薄膜及栅极的形成方法 [P].

何永根 .

中国专利 :CN101572228B ,2009-11-04

[6]

多晶硅薄膜及栅极的形成方法 [P].

涂火金 ;

范建国 ;

刘培芳 ;

蔡丹华 ;

王海峰 .

中国专利 :CN101651094A ,2010-02-17

[7]

掺杂多晶硅薄膜的形成方法 [P].

袁成松 .

中国专利 :CN120809570A ,2025-10-17

[8]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

江润峰 ;

孙天拓 .

中国专利 :CN104217940A ,2014-12-17

[9]

多晶硅薄膜形成方法、掩膜版、多晶硅薄膜和薄膜晶体管 [P].

李栋 ;

陆小勇 ;

张帅 ;

刘政 ;

龙春平 .

中国专利 :CN105185694A ,2015-12-23

[10]

多晶硅薄膜晶体管的多晶硅膜的形成方法 [P].

金亿洙 ;

李镐年 ;

柳明官 ;

朴宰彻 ;

孙暻锡 ;

李俊昊 ;

权世烈 .

中国专利 :CN1333439C ,2005-07-13

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