多晶硅薄膜及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210947274.6

申请日：

2022-08-09

公开(公告)号：

CN115012032A

公开(公告)日：

2022-09-06

发明(设计)人：

谢博文施剑华

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号

IPC主分类号：

C30B2814

IPC分类号：

C30B2906 H01L2102

代理机构：

上海思捷知识产权代理有限公司 31295

代理人：

钟晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-06	公开	公开
2022-09-23	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/14 申请日:20220809

共 50 条

[41]

多晶硅形成装置及其方法 [P].

李炳一 ;

朴暻完 ;

许官善 ;

康浩荣 ;

宋钟镐 .

中国专利 :CN102639765A ,2012-08-15

[42]

一种多晶硅薄膜制作方法及多晶硅薄膜 [P].

任庆荣 ;

李良坚 ;

刘政 .

中国专利 :CN107017153A ,2017-08-04

[43]

一种多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅薄膜 [P].

高超飞 ;

葛晶涛 ;

刘旭亮 ;

沈文涛 ;

张明照 .

中国专利 :CN108878272A ,2018-11-23

[44]

多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备 [P].

朴志容 ;

朴惠香 .

中国专利 :CN1619775A ,2005-05-25

[45]

一种多晶硅薄膜的处理方法 [P].

孙翔 .

中国专利 :CN112397382B ,2021-02-23

[46]

多晶硅薄膜的制备方法及多晶硅TFT结构 [P].

张良芬 ;

连水池 ;

罗长诚 ;

吴元均 ;

徐源竣 ;

郭海成 ;

王文 ;

陈荣盛 ;

周玮 ;

张猛 .

中国专利 :CN104992899A ,2015-10-21

[47]

触媒法生产多晶硅和多晶硅薄膜的方法 [P].

郑光元 .

中国专利 :CN101928983A ,2010-12-29

[48]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[49]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

严枰镕 .

中国专利 :CN101317249B ,2008-12-03

[50]

多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张进 .

中国专利 :CN108987247A ,2018-12-11

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