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多晶硅薄膜及其形成方法
被引:0
申请号
:
CN202210947274.6
申请日
:
2022-08-09
公开(公告)号
:
CN115012032A
公开(公告)日
:
2022-09-06
发明(设计)人
:
谢博文
施剑华
申请人
:
申请人地址
:
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
:
C30B2814
IPC分类号
:
C30B2906
H01L2102
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
钟晶
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2022-09-06
公开
公开
2022-09-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 28/14 申请日:20220809
共 50 条
[21]
多晶硅电阻结构及其形成方法
[P].
廖淼
论文数:
0
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廖淼
;
陈芳
论文数:
0
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0
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陈芳
.
中国专利
:CN104037173B
,2014-09-10
[22]
形成多晶硅薄膜的方法及包含多晶硅薄膜的薄膜晶体管
[P].
官大新
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官大新
;
叶昱均
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叶昱均
;
闫立志
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闫立志
;
韩开
论文数:
0
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0
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韩开
.
中国专利
:CN105990098B
,2016-10-05
[23]
多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器
[P].
吴健兴
论文数:
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吴健兴
;
钟晓辉
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钟晓辉
;
吴伟昌
论文数:
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吴伟昌
;
黎家健
论文数:
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黎家健
.
中国专利
:CN110284117A
,2019-09-27
[24]
多晶硅光栅和多晶硅光栅的形成方法
[P].
黄舒婷
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
黄舒婷
;
苏悦阳
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
苏悦阳
;
郑凯
论文数:
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机构:
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
北方集成电路技术创新中心(北京)有限公司
郑凯
.
中国专利
:CN120085414A
,2025-06-03
[25]
掺杂多晶硅薄膜的形成方法及其表面缺陷去除方法
[P].
高勇强
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
高勇强
;
施剑华
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
施剑华
;
巩雨锋
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机构:
粤芯半导体技术股份有限公司
粤芯半导体技术股份有限公司
巩雨锋
.
中国专利
:CN116613055B
,2024-02-02
[26]
多晶硅薄膜检查方法及其装置
[P].
岩井进
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岩井进
;
村松刚
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村松刚
;
荒木正树
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荒木正树
;
山口清美
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山口清美
.
中国专利
:CN102446784A
,2012-05-09
[27]
多晶硅薄膜检查方法及其装置
[P].
吉武康裕
论文数:
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吉武康裕
;
山口清美
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0
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山口清美
;
岩井进
论文数:
0
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0
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0
岩井进
.
中国专利
:CN102788805A
,2012-11-21
[28]
形成多晶硅层及多晶硅薄膜晶体管的方法
[P].
翁健森
论文数:
0
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0
翁健森
;
张志清
论文数:
0
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0
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0
张志清
.
中国专利
:CN1333447C
,2005-03-09
[29]
多晶硅薄膜检查方法及其装置
[P].
岩井进
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0
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岩井进
;
吉武康裕
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0
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吉武康裕
;
村松刚
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0
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0
村松刚
.
中国专利
:CN102192908A
,2011-09-21
[30]
多晶硅膜的形成方法
[P].
冈田充弘
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冈田充弘
;
宫原孝广
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宫原孝广
;
西村俊治
论文数:
0
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0
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西村俊治
.
中国专利
:CN101409232A
,2009-04-15
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