多晶硅薄膜及其形成方法

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申请号
CN202210947274.6
申请日
2022-08-09
公开(公告)号
CN115012032A
公开(公告)日
2022-09-06
发明(设计)人
谢博文 施剑华
申请人
申请人地址
510000 广东省广州市黄埔区中新广州知识城凤凰五路28号
IPC主分类号
C30B2814
IPC分类号
C30B2906 H01L2102
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
钟晶
法律状态
公开
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共 50 条
[21]
多晶硅电阻结构及其形成方法 [P]. 
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[22]
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韩开 .
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[23]
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钟晓辉 ;
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[25]
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村松刚 ;
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[27]
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岩井进 .
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[28]
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[29]
多晶硅薄膜检查方法及其装置 [P]. 
岩井进 ;
吉武康裕 ;
村松刚 .
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[30]
多晶硅膜的形成方法 [P]. 
冈田充弘 ;
宫原孝广 ;
西村俊治 .
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