多晶硅薄膜的制造方法、多晶硅薄膜以及声学传感器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910487384.7

申请日：

2019-06-05

公开(公告)号：

CN110284117A

公开(公告)日：

2019-09-27

发明(设计)人：

吴健兴钟晓辉吴伟昌黎家健

申请人：

申请人地址：

新加坡卡文迪什科技园大道85号2楼8号

IPC主分类号：

C23C1624

IPC分类号：

C23C1656 C23C1644 C30B2814 C30B2906 C30B3108 C30B3302

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

齐则琳;张雷

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-01-28	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C23C 16/24 申请公布日:20190927
2019-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/24 申请日:20190605
2019-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

多晶硅薄膜制造方法以及使用该多晶硅薄膜的设备 [P].

朴志容 ;

朴惠香 .

中国专利 :CN1619775A ,2005-05-25

[2]

多晶硅薄膜 [P].

李媛 ;

吴兴坤 ;

郝芳 ;

杨晗琼 .

中国专利 :CN202058744U ,2011-11-30

[3]

多晶硅薄膜 [P].

赵淑云 ;

郭海成 ;

王文 .

中国专利 :CN102956678A ,2013-03-06

[4]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

秦明 ;

黄庆安 .

中国专利 :CN1316770A ,2001-10-10

[5]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

严枰镕 .

中国专利 :CN101317249B ,2008-12-03

[6]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1315156C ,2005-02-16

[7]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1567534A ,2005-01-19

[8]

多晶硅薄膜的制造方法 [P].

张茂益 .

中国专利 :CN1581427A ,2005-02-16

[9]

制造多晶硅薄膜的方法 [P].

李沅泰 ;

赵汉植 ;

金亨洙 .

中国专利 :CN102414791B ,2012-04-11

[10]

低温多晶硅薄膜制造方法 [P].

颜硕廷 .

中国专利 :CN101168474B ,2008-04-30

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