N型射频LDMOS的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201010257297.1

申请日：

2010-08-19

公开(公告)号：

CN102376570A

公开(公告)日：

2012-03-14

发明(设计)人：

钱文生韩峰王海军

申请人：

申请人地址：

201206 上海市浦东新区川桥路1188号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-24	授权	授权
2012-04-25	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101231930902 IPC(主分类):H01L 21/335 专利申请号:2010102572971 申请日:20100819
2012-03-14	公开	公开
2014-02-05	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101689706174 IPC(主分类):H01L 21/335 专利号:ZL2010102572971 变更事项:专利权人变更前权利人:上海华虹NEC电子有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201206 上海市浦东新区川桥路1188号变更后权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140109

共 50 条

[1]

N型射频LDMOS中多晶硅P型沉阱的制造方法 [P].

钱文生 ;

韩峰 .

中国专利 :CN102376618B ,2012-03-14

[2]

射频LDMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104701371A ,2015-06-10

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

张帅 ;

王海军 .

中国专利 :CN102237406A ,2011-11-09

[4]

高压P型LDMOS的制造方法 [P].

刘剑 ;

段文婷 ;

孙尧 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103021852B ,2013-04-03

[5]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05

[6]

射频LDMOS及其制作方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104409500B ,2015-03-11

[7]

一种射频LDMOS晶体管及其制造方法 [P].

邓小川 ;

梁坤元 ;

甘志 ;

萧寒 ;

李妍月 ;

张波 .

中国专利 :CN104992978A ,2015-10-21

[8]

一种射频LDMOS的“Γ”型栅结构及其制备方法 [P].

刘洪军 ;

赵杨杨 ;

应贤炜 ;

盛国兴 ;

王佃利 .

中国专利 :CN105895705B ,2016-08-24

[9]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241380A ,2014-12-24

[10]

一种射频LDMOS器件及其制备方法 [P].

杜寰 .

中国专利 :CN104241381A ,2014-12-24

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