N型LDMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510107015.2

申请日：

2015-03-11

公开(公告)号：

CN104821334B

公开(公告)日：

2015-08-05

发明(设计)人：

石晶钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21762 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101623406188 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015101070152 申请日:20150311
2018-08-21	授权	授权
2015-08-05	公开	公开

共 50 条

[1]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09

[2]

高压N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN105957880B ,2016-09-21

[3]

开关N型LDMOS器件的工艺方法 [P].

杨新杰 .

中国专利 :CN106449412A ,2017-02-22

[4]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104659103A ,2015-05-27

[5]

槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104835849A ,2015-08-12

[6]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17

[7]

LDMOS器件及工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111063737A ,2020-04-24

[8]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[9]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

[10]

集成JFET的LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

石晶 .

中国专利 :CN105514040A ,2016-04-20

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