射频LDMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510080701.5

申请日：

2015-02-15

公开(公告)号：

CN104716187B

公开(公告)日：

2015-06-17

发明(设计)人：

石晶钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	授权	授权
2015-07-15	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101616811103 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015100807015 申请日:20150215
2015-06-17	公开	公开

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[2]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

[3]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

段文婷 .

中国专利 :CN104733525B ,2015-06-24

[4]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104701369A ,2015-06-10

[5]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

肖胜安 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN104752499A ,2015-07-01

[6]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN104752500A ,2015-07-01

[7]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104701375A ,2015-06-10

[8]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

肖胜安 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104716180A ,2015-06-17

[9]

高压N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN105957880B ,2016-09-21

[10]

集成JFET的LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

石晶 .

中国专利 :CN105514040A ,2016-04-20

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