集成JFET的LDMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510971891.X

申请日：

2015-12-22

公开(公告)号：

CN105514040A

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

段文婷钱文生刘冬华胡君石晶

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L218232

IPC分类号：

H01L27088 H01L27098

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660906560 IPC(主分类):H01L 21/8232 专利申请号:201510971891X 申请日:20151222
2019-09-13	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/8232 申请公布日:20160420
2016-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17

[2]

高压N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN105957880B ,2016-09-21

[3]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05

[4]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 .

中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09

[5]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[6]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

[7]

LDMOS器件及工艺方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111063737A ,2020-04-24

[8]

开关N型LDMOS器件的工艺方法 [P].

杨新杰 .

中国专利 :CN106449412A ,2017-02-22

[9]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104659103A ,2015-05-27

[10]

槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104835849A ,2015-08-12

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