LDMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201911164294.0

申请日：

2019-11-25

公开(公告)号：

CN111063737A

公开(公告)日：

2020-04-24

发明(设计)人：

许昭昭

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2940 H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-04-24	公开	公开
2020-05-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20191125

共 50 条

[1]

LDMOS器件及工艺方法 [P].

张晗 ;

杨新杰 ;

金锋 .

中国专利 :CN115424932A ,2022-12-02

[2]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05

[3]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

段文婷 .

中国专利 :CN104733525B ,2015-06-24

[4]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104701369A ,2015-06-10

[5]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

肖胜安 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN104752499A ,2015-07-01

[6]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN104752500A ,2015-07-01

[7]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17

[8]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104701375A ,2015-06-10

[9]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[10]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

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