开关N型LDMOS器件的工艺方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201610876652.0
申请日
2016-09-30
公开(公告)号
CN106449412A
公开(公告)日
2017-02-22
发明(设计)人
杨新杰
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
戴广志
法律状态
发明专利申请公布后的视为撤回
国省代码
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共 50 条
[1]
N型LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05
[2]
N型LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 ;
刘冬华 ;
胡君 ;
段文婷 .
中国专利 :CN105140289A ,2015-12-09
[3]
高压N型LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
段文婷 .
中国专利 :CN105957880B ,2016-09-21
[4]
槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104835849A ,2015-08-12
[5]
N型LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104659103A ,2015-05-27
[6]
射频LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
石晶 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17
[7]
集成JFET的LDMOS器件及工艺方法 [P]. 
段文婷 ;
钱文生 ;
刘冬华 ;
胡君 ;
石晶 .
中国专利 :CN105514040A ,2016-04-20
[8]
LDMOS器件的工艺方法 [P]. 
张晗 ;
杨新杰 ;
金锋 .
中国专利 :CN115424931B ,2025-12-16
[9]
LDMOS器件的工艺方法 [P]. 
张晗 ;
杨新杰 ;
金锋 .
中国专利 :CN115424931A ,2022-12-02
[10]
开关LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18