N型LDMOS器件及工艺方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510607048.3

申请日：

2015-09-22

公开(公告)号：

CN105140289A

公开(公告)日：

2015-12-09

发明(设计)人：

石晶钱文生刘冬华胡君段文婷

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2906

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101640708555 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015106070483 申请日:20150922
2015-12-09	公开	公开
2019-04-05	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 29/78 申请公布日:20151209

共 50 条

[1]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104821334B ,2015-08-05

[2]

高压N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

段文婷 .

中国专利 :CN105957880B ,2016-09-21

[3]

槽栅结构的N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104835849A ,2015-08-12

[4]

开关N型LDMOS器件的工艺方法 [P].

杨新杰 .

中国专利 :CN106449412A ,2017-02-22

[5]

N型LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104659103A ,2015-05-27

[6]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104701369A ,2015-06-10

[7]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104716187B ,2015-06-17

[8]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638003B ,2015-05-20

[9]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

石晶 ;

胡君 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104638001A ,2015-05-20

[10]

射频LDMOS器件及工艺方法 [P].

慈朋亮 ;

李娟娟 ;

钱文生 ;

肖胜安 ;

刘冬华 ;

胡君 ;

段文婷 ;

石晶 .

中国专利 :CN104752499A ,2015-07-01

← 1 2 3 4 5 →