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开关LDMOS器件及其制造方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202010401261.X
申请日：
2020-05-13
公开(公告)号：
CN111554579A
公开(公告)日：
2020-08-18
发明(设计)人：
钱文生
申请人：
申请人地址：
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号：
H01L21336
IPC分类号：
H01L21265 H01L2978
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
栾美洁
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-09-11 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20200513
2020-08-18 公开 公开
共 50 条
[1]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
石晶 .
中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04
[2]
射频LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
遇寒 ;
周正良 .
中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11
[3]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN109830538B ,2019-05-31
[4]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23
[5]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 ;
石晶 ;
刘冬华 ;
段文婷 ;
胡君 .
中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04
[6]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14
[7]
LDMOS器件 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN109935633B ,2019-06-25
[8]
具有深孔的LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
陈瑜 ;
陈华伦 ;
邢超 .
中国专利 :CN104716178A ,2015-06-17
[9]
射频LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10
[10]
射频LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
李娟娟 ;
钱文生 .
中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22
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