射频LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510315157.8

申请日：

2015-06-10

公开(公告)号：

CN105047716B

公开(公告)日：

2015-11-11

发明(设计)人：

遇寒周正良

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L23552

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-11	公开	公开
2015-12-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101636455451 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2015103151578 申请日:20150610
2018-06-19	授权	授权

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[2]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[5]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104701368B ,2015-06-10

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

李昊 ;

周正良 .

中国专利 :CN104425597B ,2015-03-18

[8]

射频LDMOS器件的制造方法 [P].

马彪 ;

周正良 ;

遇寒 .

中国专利 :CN104425261A ,2015-03-18

[9]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104218080B ,2014-12-17

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