射频LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410315116.4

申请日：

2014-07-03

公开(公告)号：

CN104538441B

公开(公告)日：

2015-04-22

发明(设计)人：

李娟娟钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

郭四华

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101609894023 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014103151164 申请日:20140703
2015-04-22	公开	公开
2018-02-06	授权	授权

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[2]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[5]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

李昊 ;

周正良 .

中国专利 :CN104425597B ,2015-03-18

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104701368B ,2015-06-10

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14

[10]

射频N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 ;

石晶 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104037223B ,2014-09-10

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