射频N型LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310067290.7

申请日：

2013-03-04

公开(公告)号：

CN104037223B

公开(公告)日：

2014-09-10

发明(设计)人：

刘冬华段文婷胡君石晶钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-29	授权	授权
2014-10-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101587391465 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2013100672907 申请日:20130304
2014-09-10	公开	公开

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[2]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

[5]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104241358B ,2014-12-24

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

蔡莹 ;

周正良 ;

李昊 .

中国专利 :CN104425589B ,2015-03-18

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 ;

陈曦 .

中国专利 :CN104485360B ,2015-04-01

[8]

高压隔离N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

刘剑 ;

段文婷 ;

孙尧 ;

陈瑜 ;

陈华伦 .

中国专利 :CN103187435A ,2013-07-03

[9]

隔离型N型LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈瑜 ;

刘剑 .

中国专利 :CN103545346B ,2014-01-29

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104241353B ,2014-12-24

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