LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610674970.9

申请日：

2016-08-16

公开(公告)号：

CN106298935A

公开(公告)日：

2017-01-04

发明(设计)人：

石晶

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L21336 H01L2910 H01L2906

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王江富

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-02-01	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101700845569 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2016106749709 申请日:20160816
2019-08-13	授权	授权
2017-01-04	公开	公开

共 50 条

[1]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

刘冬华 ;

段文婷 ;

胡君 .

中国专利 :CN103839998B ,2014-06-04

[3]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[4]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

李昊 ;

周正良 .

中国专利 :CN104425597B ,2015-03-18

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115148602A ,2022-10-04

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

孔蔚然 ;

钱文生 ;

房子荃 .

中国专利 :CN108321206B ,2018-07-24

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

房子荃 ;

钱文生 .

中国专利 :CN108400168A ,2018-08-14

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104518027B ,2015-04-15

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