LDMOS器件及其制造方法

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申请号
CN202210826777.8
申请日
2022-07-13
公开(公告)号
CN115148602A
公开(公告)日
2022-10-04
发明(设计)人
陈正龙
申请人
申请人地址
201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区申江路5005弄3号9-12层、2号102单元
IPC主分类号
H01L21331
IPC分类号
H01L2978 H01L2940 H01L2906
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
汪春艳
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
陈正龙 .
中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23
[2]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
石晶 .
中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04
[3]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23
[4]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
王乐 .
中国专利 :CN102468335A ,2012-05-23
[5]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
孔蔚然 ;
钱文生 ;
房子荃 .
中国专利 :CN108321206B ,2018-07-24
[6]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN104518027B ,2015-04-15
[7]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
钱文生 .
中国专利 :CN108258051A ,2018-07-06
[8]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14
[9]
开关LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18
[10]
射频LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10