LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410262236.2

申请日：

2014-06-13

公开(公告)号：

CN104518027B

公开(公告)日：

2015-04-15

发明(设计)人：

钱文生

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

丁纪铁

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-06-11	授权	授权
2017-04-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101713358125 IPC(主分类):H01L 29/78 专利申请号:2014102622362 申请日:20140613
2015-04-15	公开	公开

共 50 条

[1]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

金锋 ;

石晶 .

中国专利 :CN104377242A ,2015-02-25

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[5]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115148602A ,2022-10-04

[6]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

陈正龙 .

中国专利 :CN115513060A ,2022-12-23

[7]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 ;

孔蔚然 ;

钱文生 ;

房子荃 .

中国专利 :CN108321206B ,2018-07-24

[8]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

张强 ;

黄冠群 .

中国专利 :CN109713033A ,2019-05-03

[9]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[10]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

← 1 2 3 4 5 →