LDMOS器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811632282.1

申请日：

2018-12-29

公开(公告)号：

CN109713033A

公开(公告)日：

2019-05-03

发明(设计)人：

张强黄冠群

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区高斯路568号

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L2940 H01L2978 H01L21336 H01L21265

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

王江富

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-05-03	公开	公开
2022-12-23	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 29/06 申请公布日:20190503
2019-05-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20181229

共 50 条

[1]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035730A ,2013-04-10

[2]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23

[3]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN104518027B ,2015-04-15

[4]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

许昭昭 .

中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14

[5]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[6]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN103035729A ,2013-04-10

[7]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

遇寒 ;

周正良 .

中国专利 :CN105047716B ,2015-11-11

[8]

射频LDMOS器件及其制造方法 [P].

李娟娟 ;

钱文生 .

中国专利 :CN104538441B ,2015-04-22

[9]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

石晶 .

中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04

[10]

LDMOS器件及其制造方法 [P].

金锋 ;

石晶 .

中国专利 :CN104377242A ,2015-02-25

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