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LDMOS器件及其制造方法
被引:0
申请号
:
CN202211368966.1
申请日
:
2022-11-03
公开(公告)号
:
CN115513060A
公开(公告)日
:
2022-12-23
发明(设计)人
:
陈正龙
申请人
:
申请人地址
:
310000 浙江省杭州市余杭区五常街道联创街188号5幢101室、102室
IPC主分类号
:
H01L21336
IPC分类号
:
H01L2978
H01L2906
H01L2940
代理机构
:
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
:
郑玮
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2023-01-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20221103
2022-12-23
公开
公开
共 50 条
[1]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
.
中国专利
:CN108878533A
,2018-11-23
[2]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
陈正龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈正龙
.
中国专利
:CN115148602A
,2022-10-04
[3]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许昭昭
;
孔蔚然
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
孔蔚然
;
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
;
房子荃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
房子荃
.
中国专利
:CN108321206B
,2018-07-24
[4]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
许昭昭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
许昭昭
.
中国专利
:CN111540785A
,2020-08-14
[5]
LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件
[P].
王清钢
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
广州增芯科技有限公司
广州增芯科技有限公司
王清钢
.
中国专利
:CN120379288A
,2025-07-25
[6]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
石晶
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
石晶
.
中国专利
:CN106298935A
,2017-01-04
[7]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
方磊
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
方磊
.
中国专利
:CN108574014B
,2018-09-25
[8]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
王乐
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
王乐
.
中国专利
:CN102468335A
,2012-05-23
[9]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
房子荃
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
房子荃
;
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
.
中国专利
:CN108400168A
,2018-08-14
[10]
LDMOS器件及其制造方法
[P].
钱文生
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
钱文生
.
中国专利
:CN104518027B
,2015-04-15
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