LDMOS器件及其制造方法

被引:0
申请号
CN202211368966.1
申请日
2022-11-03
公开(公告)号
CN115513060A
公开(公告)日
2022-12-23
发明(设计)人
陈正龙
申请人
申请人地址
310000 浙江省杭州市余杭区五常街道联创街188号5幢101室、102室
IPC主分类号
H01L21336
IPC分类号
H01L2978 H01L2906 H01L2940
代理机构
上海思捷知识产权代理有限公司 31295
代理人
郑玮
法律状态
实质审查的生效
国省代码
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN108878533A ,2018-11-23
[2]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
陈正龙 .
中国专利 :CN115148602A ,2022-10-04
[3]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
孔蔚然 ;
钱文生 ;
房子荃 .
中国专利 :CN108321206B ,2018-07-24
[4]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 .
中国专利 :CN111540785A ,2020-08-14
[5]
LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P]. 
王清钢 .
中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25
[6]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
石晶 .
中国专利 :CN106298935A ,2017-01-04
[7]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
方磊 .
中国专利 :CN108574014B ,2018-09-25
[8]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
王乐 .
中国专利 :CN102468335A ,2012-05-23
[9]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
房子荃 ;
钱文生 .
中国专利 :CN108400168A ,2018-08-14
[10]
LDMOS器件及其制造方法 [P]. 
钱文生 .
中国专利 :CN104518027B ,2015-04-15